缺少单片集成硅基激光器是硅基光电融合的瓶颈。硅衬底上直接外延生长InAs/GaAs量子点激光器是解决这一难题的重要方案。通过同质外延在硅图形化衬底上构筑具有孔洞的V型结构，我们有效克服了硅上生长GaAs存在晶格失配、极性失配和热失配的难题。本报告将介绍我们在硅基直接外延生长高质量GaAs材料及系列硅基、SOI基InAs/GaAs量子点激光器方面的研究进展。
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