半导体材料中的各类缺陷会对其物理性质产生显著的影响。深入理解材料中的缺陷特性对于半导体器件的性能优化具有重要的意义。经过多年的发展，基于密度泛函理论的第一性原理方法已经成功地应用于半导体缺陷特性的模拟。这使得人们可以对缺陷的类型、浓度、能级位置、载流子俘获系数等关键参数进行准确定量的预测，并从原子级微观尺度对相关物理过程的机理进行理解。本次报告主题为半导体点缺陷的第一性原理计算模拟研究。报告将分为两部分。第一部分介绍半导体点缺陷关键特性计算（如形成能、离化能等）的基本理论和方法。第二部分将主要以卤族钙钛矿半导体为例，介绍缺陷模拟在理解半导体材料物理性质及半导体器件性能优化方面所发挥的重要作用。
