摘要 (Abstract) ：
新型片上非易失性存储器有望解决大数据时代“存储墙”问题。其中利用自旋状态存储信息的磁随机存储器（MRAM）具有高密度、无限次读写操作等优点，是后摩尔时代通用型存储器的重要技术路径。近年，基于自旋轨道转矩新机理的磁性器件受到广泛关注。本报告将汇报我们如何通过自旋材料（1）晶格结构、（2）非共线磁结构的设计，调控自旋轨道转矩的对称性，实现了更有效的电流驱动磁矩翻转。
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